H5AN8G8NAFR-VKC，H5AN8G8NAFR-UHC，H5AN8G8NCJR-VKC，H5AN8G6NCJR-VKC是8Gb CMOS雙倍數據速率IV（DDR4）同步DRAM，非常適合需要大存儲密度和高帶寬的主存儲應用。SK hynix 8Gb DDR4 SDRAM提供完全同步的操作，參考時鐘的上升沿和下降沿。當所有地址和控制輸入都在CK的上升沿（CK的下降沿）上鎖存時，數據，數據選通脈沖和寫入數據掩碼輸入則在其上升沿和下降沿進行采樣。數據路徑在內部進行了流水線處理，并預取了8位以實現非常高的帶寬。
特征
? VDD = VDDQ = 1.2V +/- 0.06V
? 完全差分時鐘輸入（CK，CK）操作
? 差分數據選通（DQS，DQS）
? 片上DLL將CK過渡對齊DQ，DQS和DQS過渡
? DM掩碼在數據選通的上升沿和下降沿寫入數據
? 所有地址和控制輸入，除了在時鐘的上升沿鎖存的數據，數據選通和數據屏蔽
? 支持9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19和20的可編程CAS延遲
? 支持可編程的附加延遲0，CL-1和CL-2（僅x4 / x8）
? 可編程CAS寫等待時間（CWL）= 9、10、11、12、14、16、18
? 可編程突發長度為4/8，具有半字節連續模式和交錯模式
? BL即時切換
? 平均刷新周期（Tcase為0 oC?95 oC）
-在0°C?85°C 時為7.8 μs
-在85°C?95°C時為3.9 μs
? JEDEC標準78球FBGA（x4 / x8），96球FBGA（x16）
? MRS選擇的駕駛員力量
? 支持動態管芯端接
? 可以通過ODT引腳切換兩個終止狀態，例如RTT_PARK和RTT_NOM
? 支持異步RESET引腳
? 支持ZQ校準
? 支持TDQS（終端數據選通）（僅x8）
? 支持寫均衡
? 8位預取
? 本產品符合RoHS指令。
? 內部Vref DQ電平生成可用
? 所有速度等級均支持寫CRC
? 支持更大省電模式
? 支持TCAR（溫度控制自動刷新）模式
? 支持LP ASR（低功耗自動自我刷新）模式
? 支持精細粒度刷新
? 支持每個DRAM可尋址性
? 支持減速模式（1/2速率，1/4速率）
? 支持用于讀寫的可編程序言
? 支持自刷新中止
? 支持CA奇偶校驗（命令/地址奇偶校驗）模式
? 應用了銀行分組，并且具有相同或不同銀行組訪問權限的銀行的CAS到CAS延遲（tCCD_L，tCCD_S）可用
? 支持DBI（數據總線反轉）（x8）
H5AN8G8NAFR-VKC 技術數據表 規格書（PDF）
海力士SKhynix DDR4 DRAM 型號規則：
